삼성전자의 반도체 부문은 메모리 반도체(특히 HBM 및 D램) 가격 폭등으로 인해 막대한 영업이익을 다시 창출하기 시작했습니다. 대만(TSMC) 입장에서는 이 '메모리에서 번 돈'이 파운드리(2나노 등 선단 공정) 투자와 수율 개선으로 흘러가 TSMC의 강력한 위협이 될 수 있다는 점을 경계하고 있습니다. 이에 맞서 SK하이닉스는 차세대 HBM4에서 TSMC와 손을 잡고 삼성전자를 견제하려는 움직임을 보이고 있습니다.
1. 삼성 메모리의 화려한 부활과 막대한 자금력 확보
작년 4분기부터 전 세계적인 메모리 반도체 품귀 현상이 발생하며 삼성전자 메모리 부문이 엄청난 실적 반등을 이뤄냈습니다. 2026년 1분기 영업이익이 전년 동기 대비 폭발적으로 성장하며 역대 최고치를 기록했습니다.
이 배경에는 삼성의 AI용 HBM3E가 엔비디아(NVIDIA)의 인증을 통과한 것이 큽니다. 삼성이 HBM 생산에 라인을 집중하면서 일반 D램(DDR4, DDR5)까지 공급 부족과 가격 상승이 일어났고, 월 70만 장 규모의 압도적인 생산 능력을 가진 삼성전자가 가장 큰 수혜를 보게 되었습니다.
2. 메모리 수익이 파운드리(TSMC)에 미치는 위협
과거 삼성전자 파운드리(위탁생산)는 스냅드래곤 8 Gen 1(4나노) 발열 논란 등으로 고전하며 영업이익이 쪼그라들었었습니다. 돈이 없으니 TSMC처럼 막대한 자본 지출(설비 투자)을 하기가 힘들었죠.
하지만 이제 메모리에서 분기당 수백억 달러 규모의 막대한 영업이익을 벌어들이게 되면서 상황이 달라졌습니다. 삼성은 이 막강한 자금력을 바탕으로 파운드리 공정 개선에 대규모 투자를 단행하거나, 심지어 적자를 감수하고서라도 고객사(테슬라, 퀄컴 등)의 파운드리 주문을 유치할 체력을 갖추게 되었습니다.
AMD, 퀄컴, 테슬라 등 TSMC에서 후순위로 밀리거나 단가 협상력이 약한 '약자 고객'들이 대안으로 삼성 파운드리의 문을 두드리고 있는 상황입니다.
3. 삼성 2나노 공정 수율 논란과 테슬라 수주
최근 한국 언론(조선일보) 보도에 따르면, 삼성의 최첨단 2나노 파운드리 전공정 수율은 약 55% 수준이며, 후공정(패키징)까지 거치면 40%대 수준으로 떨어지는 것으로 알려졌습니다.
과거 5나노 경험에 비추어 볼 때 수율 60%가 손익분기점이고 80%를 넘어야 돈을 버는 구조입니다. 2나노는 원가가 훨씬 비싸기 때문에 55% 수율로 테슬라 등의 2나노 칩(AI 반도체 등) 수주를 받는 것은 사실상 적자를 보는 구조입니다.
그럼에도 삼성이 수주를 강행할 수 있는 이유는 앞서 언급한 '메모리 부문에서 벌어들인 막대한 자금'이 뒤를 받쳐주고 있기 때문입니다.
4. 차세대 HBM4 전쟁: SK하이닉스 & TSMC 연합 vs 삼성전자
AI 메모리 시장에서 삼성을 압도하던 SK하이닉스는 삼성의 무서운 자본력에 위협을 느끼고 있습니다. 특히 다음 세대인 HBM4(16단 대용량 메모리) 경쟁이 핵심입니다.
HBM은 여러 층의 D램을 쌓고 맨 밑에 이를 제어하는 '로직 다이(Logic Die)'를 둡니다. SK하이닉스는 그동안 이 로직 다이에 TSMC의 12나노 공정을 썼으나, 최근 삼성이 자사 파운드리의 '4나노' 공정을 HBM4 로직 다이에 적용하겠다고 선언하며 성능 테스트에서 SK하이닉스를 일부 앞서기 시작했습니다.
발등에 불이 떨어진 SK하이닉스는 삼성을 꺾기 위해 대만으로 날아가 TSMC에 구원 요청을 했습니다. 삼성의 4나노를 이기기 위해 SK하이닉스는 TSMC의 최첨단 '3나노' 공정을 HBM4 로직 다이에 적용하겠다는 승부수를 띄웠습니다.
결론적으로, 삼성전자가 메모리 시장에서 승리하면 그 자금이 파운드리 투자로 이어져 TSMC의 목을 조르게 됩니다. 따라서 TSMC 입장에서도 파운드리 방어와 경쟁사 견제를 위해 SK하이닉스를 도와 HBM4 시장에서 삼성을 억누를 유인이 충분하다는 분석입니다.
